Aparechju semiconductor Amazing - un Diode periudu

Quandu u valore u miccanisimu di naturali un AC à u situ di u cuntattu di i dui lochi sfarenti - i semiconductor è u metallu, ci hè statu hypothesized chì hè basatu nantu cusì-chiamatu tunneling di purtatori rispunsevule. Tuttavia, à chì tempu (1932) u livellu di u sviluppu di a tecnulugia semiconductor ùn hè dirittu à cunfirmà u Speculation empirically. Solu in 1958, un journal Japanese Esaki fu capaci à cunfirmà u brilliantly, criannu li primi Diode tunnel, in a storia. Grazie à u so maravigghiusu qualità (per esempiu, battutu), stu pruduttu hè attrattu da l 'attinzioni di Specialists in vari campi tecnicu. Hè u colpu di spiegari ca li Diode - un aparechju ilittronica, chì ghjè un associu di una sola corpu di dui materiali differente avè sfarenti tippi di giant. Pirciò, currenti elettricu pò purtata à traversu lu in solu una direzzione. Cambià u risultati polarity in "s'ava fattu" di u Diode è cresce u so risistenza. Crìsciri lu francese voltage cunduce à una "riparazione".

Cunziddirati comu lu Diode periudu. Manifattura Classic aparechju semiconductor usa un cristal avè un numaru di impurities micca più di 10 a 17 gradu (licenza -3 o du cintìmetri). E siccomu sta paràmetru hè direttamente ligata à u numaru di purtatori rispunsevule free, si gira fora chì u passatu pò mai esse di più cà i cunfini renseigné.

Ci hè una formula chi ci permetti di definisce u spissori di u spaziu ntirmediu (passaggiu P pn):

L = ((E * (cibo-U)) / (2 * Pi * Q)) * ((Na + Nd) / (Na * Nd)) * 1050000,

induve Na è Nd - numaru di dunatori ionized è acceptors, rispittivamenti; Pi - 3,1416; Q - u valore di u so rispunsevule Emissio; U - francese voltage applicata; Th - diffarenza in CAPIFRANCE a lu passaggiu; E - valuri di la custanti dielectric.

A numeru di la fòrmula hè u fattu chì per una Diode passaggiu P pn caratteristica forza campu suttana classica è un pocu grande PAL. Chi lu littroni pò ottene una zona free, ch'elli bisognu di energia suverchiu (cravatta da u fora).

diodes Tunnel sò usati in a so custruzzione tali tippi di Semiconductors, chi canciari u cuntenutu imputation a 10 a 20 gradu (licenza -3 centimeters), chì ghjè un modu sfarente da i passi classica. Stu cunduce à una drammatica riduzzione in u spissori di u passaggiu, l 'aumentu di u temperature campu in lu rughjonu P pn è, dunqua, la pussibbilità di transizzioni periudu quandu lentà lu littroni a la banna Francia valence ùn micca bisognu di energia cunnizzioni. Stu succedi pirchì lu liveddu di energia di u particeddi ùn cambia incù u barriera viaghju. U Diode periudu è facili distingueru da u nurmale di u so sputicu eroicu-Ampère. Stu effettu fonda un tipu di fiatu à lu - negativu resistenza diffirinziali. Ragione di sta tunneling diodes sò anchiamènti usatu in i dispusitivi high-ultrahigh (grosime difettu riduzzione P pn face un tali aparechju un-frombu battutu), vagliatura misura pricisa, generators, è, di sicuru, piante.

Ancu s'è oghji, quannu l 'effettu periudu hè capaci à purtata in dui sensi, da culligamentu direttamente la tinzioni Diode in u aumenta zona passaggiu, riducendu u numeru di lu littroni capaci di passaghju tunneling. accrescimentu francese voltage cunduce à a sparizioni cumpleta di a realità tunneling è l 'effettu hè solu nantu diffusé strasurdinariu (cum'è in u Diode classicu).

Ci hè dinù un altru riprisentante di sti dispusitivi - Diode manch'ellu. It rapprisenta u listessu Diode periudu, ma cù pruprietà Altered. U fattu hè chì u valore giant di a cunnessione riversu, in cui lu solitu aparechju naturali "chiuso", hè supiriuri in diretta. I proprietà di cullezzione currisponde à u Diode periudu: spettaculu, basso, self-bottu, a capacità à addirizzà i cumpunenti variàbbili.