Cosa hè u MISFET?

un'idea chì elementu di i dispusitivi semiconductor cuntìnua a crisciri. Ogni nova invenzione in u campu, in fatti, l'idea di trasfurmà tutti i sistemi ilittronica. Cambiendu sviluppu disignu ferrari circuit in i dicori novu dispusitivi cumparisce nant'à elli. Siccomu l 'invenzione di u prima francese transistor (1948 cunzunantali) fù passatu un longu tempu. Hè statu nvintatu struttura "pnp" è "npn", transistors bipolar. Over tempu si apparsu francese transistor MIS, iavanu u principiu di cambiamenti in giant energia elettrica di i palori superficia semiconductor sutta la nfruenza di nu campu ilettricu. Faci un altru nomu di stu elementu - un campu.

TIR abbreviazione stessa (mitallu-insulator-semiconductor) si carattirizza la struttura interna di stu lignu. È infatti, u otturatore hè isolé da i surghjente è francese drain cù una palori non-conductive magre. Modern francese transistor MIS hà una lunghezza porta di 0.6 microns. Attraversu lu pò passà solu un campu erani - chi si verifica u statu energia elettrica di u semiconductor.

A Canzona di circà à fà u francese transistor campu di-effettu, è truvà fora chì hè a diffarenza menu da bipolar "fratellu". Quandu i capacità nicissarii à a so porta ci hè un campu erani. It attaccaticcia la risistenza di l 'imbrancamentu imbrancamentu surghjente-francese drain. Quì sò qualchi benefici di usu stu dispusitivu.

• In u resistenza passaggiu via francese drain-surghjente statu apartu hè assai nica, è francese transistor MIS ha statu usatu successu comu na chiavi ilittronica. Per esempiu, si pò cuntrullà turn funziunanti, bypassing l 'unità o di a participari a la tour lòggica.
• Also di nota è impedance altu messu di u dispusitivu. Sta funziunalità è arquantu apprupriati quandu u travagliu in tour bassu-francese voltage.
• Low capacità di transizzioni francese drain-surghjente permette francese transistor MIS in i dispusitivi high-ultrahigh. Sottu ùn luddie mangianu mentri trasmissioni signali.
• Sviluppu di a nova ticnoluggìa dâ in la pruduzzione di elementi purtatu à a creazione di IGBT-transistors, chì di mischjà u qualità pusitivu di u campu di e Leoni bipolar. moduli Power basatu supra li sò anchiamènti usatu in Starters Chjara è converters ultrahigh.

In lu disignu e funziunamentu di issi elementi deve esse pigliata in contu chì l 'transistors MIS sò assai attenti à overvoltage in lu circu e ' elittricità fermu. Chi è, u dispusitivu si pò guastatu s'è tù tocchi lu terminals cuntrollu. Quandu per installà o caccià u grounding spiciali usu.

Santuari di l 'usu di stu dispusitivu hè assai bonu. Duvuta a so pruprietà uniche, hè anchiamènti usatu in parechji usato ilittronica. indicazione nuvatori in tempura muderna hè l 'usu di IGBT-moduli lu putiri di funziunamentu in parechji tour, cumprisi, e la nnuzzioni.

A tecnulugia di a so pruduzzione hè sempri à essa ammigghiuratu. Hè esse sviluppatu di lunghezza scaling resistance (riduzzione) porta. Stu vi migliurà i digià bè paràmetri di spettaculu di u dispusitivu.